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題 名 | V型多孔矽/n-型矽基板異質接面的光電特性探討=Investigation of Photo-Electronic Characteristics of V Shape Porous Silicon/n-Si Heterojunction |
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作 者 | 黃俊達; 卓其何; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 16:2 2009.06[民98.06] |
頁 次 | 頁19-23 |
分類號 | 448.167 |
關鍵詞 | V型多孔矽; 反射率; 電化學陽極化; 掃描式電子顯微鏡; V-shape PS; Reflectivity; Electrochemical anodization; Scanning-electron microscope; |
語 文 | 中文(Chinese) |