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來源資料
材料科學與工程
36:1 2004.03[民93.03]
頁59-63
工程學總論
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其他非金屬材料
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題 名
以微波電漿化學氣相沉積法在鑽石緩衝層上成長立方氮化硼薄膜=Growth of Cubic Boron Nitride Films on Diamond Buffer Layers Via MPCVD
作 者
楊天賜
;
賴哲永
;
翁明壽
;
書刊名
材料科學與工程
卷 期
36:1 2004.03[民93.03]
頁 次
頁59-63
分類號
440.34
關鍵詞
微波電漿化學氣相沉積法
;
鑽石
;
立方氮化硼
;
奈米材料
;
多層膜
;
C-BN
;
Diamond
;
Nanocrystalline
;
Multilayer
;
MPCVD
;
語 文
中文(Chinese)
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