頁籤選單縮合
題 名 | 修飾電子束阻劑的膜特性及熱分析 |
---|---|
編 次 | 1 |
作 者 | 柯富祥; 周正堂; 蕭立東; 洪永隆; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷 期 | 7:2 2000.05[民89.05] |
頁 次 | 頁31-35 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 電子束阻劑; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文係研究電子束阻劑的修飾,研究進行方式係在原阻劑中加入不同含量的聚苯乙烯-順丁二烯酸酐共聚合物。由膠體穿透層析法(GPC)及黏度法之結果可知原阻劑其聚合物鏈並達受到修飾的影響,此外其加入的共聚物仍保持原來的狀態。而阻劑黏度會綠著加入的聚合物量而逐漸增加,熱分析的結果指出阻劑主要在兩個區域分解決(280℃及544℃),280℃處質量的損失明顯的比544℃處為多。由FTIR光譜的分析指出密著劑烘考溫度的增加,羰基分解會增加。由電漿蝕刻實驗結果指出由於修飾的關係,使阻劑的蝕刻抵擋能力增加,然而微影製程解析度、敏感度及對映比等卻沒有因此而變差。由於聚合物的凝聚效應(aggregation effect),有加入共聚物修飾的阻劑其阻劑去除能力比原阻劑來的好。限於篇幅緣故,本篇僅介紹修飾阻劑的膜特性及熱分析。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。