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題名 | 修飾電子束阻劑的製程及阻劑去除效應 |
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作者姓名(中文) | 周正堂; 柯富祥; 丁志華; 蕭立東; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷期 | 7:3 2000.08[民89.08] |
頁次 | 頁38-42 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 電子束阻劑; 阻劑去除效應; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文係研究電子束阻劑的修飾的研究進行方式係在原阻劑中加入不同含量的聚苯乙稀-順丁二烯酸酐共聚合物。由膠體穿透層析法(GPC)及黏度法之結果可知原阻劑其聚合物鏈並未受到修飾的影響,此外其加入的共聚物仍保持原來的狀態。而阻劑黏度會隨著加入的聚合物量而逐漸增加。熱分析的結果指出阻劑主要在兩個區域分解(280℃及544℃),280℃處質量的損失明顯的比544℃處為多。由FTIR光譜的分析指出隨著阻劑烘烤溫度的增加,羰基分解會增加。由電漿蝕刻實驗結果指出由於修飾的關係,使阻劑的蝕刻抵擋能力增加,然而微影製程解析度、敏感度及對映比等卻沒有因此而變差。由於聚合物的凝聚效應(aggregation effect),有加入共聚物修飾的阻劑其阻劑去除能力比原阻劑來的婕。上篇已介紹修飾阻劑的膜特性及熱分析,本文將介紹其餘特性。 |
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