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題 名 | Performance Evaluation of a Novel Method to Improve the VCR of Polysilicon Resistor=高性能多晶矽電阻參數控制之性能評估 |
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作 者 | 陳瑾瑩; 何志傑; | 書刊名 | 和春學報 |
卷 期 | 9 2002.09[民91.09] |
頁 次 | 頁561-566 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 電阻電壓係數值; 多晶矽電阻; 離子佈值劑量; Voltage coefficient of resistance; VCR; Polysilicon resistor; Poly-R; Implant dose; |
語 文 | 英文(English) |