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題 名 | 唯讀記憶體感測電路=A Novel Sense Circuit for a Read Only Memory |
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作 者 | 蕭明椿; | 書刊名 | 修平學報 |
卷 期 | 1 2000.09[民89.09] |
頁 次 | 頁219-230 |
分類號 | 448.532 |
關鍵詞 | 感測電路; 唯讀記憶體; 背閘極; 浮接; 臨限電壓; Sense circuit; Read-only memory; Back-gate; Floating; Threshold voltage; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本創作提出一種新穎之唯讀記憶體感測電路,其係由第一PMOS電晶體MP1、第一NMOS電晶體MN1、反或閘NOR、第二PMOS電晶體MP2、第一反相器NOT1、以及第二反相器NOT2所組成,其中該MN1之背閘極(back gate)與源極(source)間係設計成順向偏壓。當記憶單元在低電位VSS(即儲存邏輯0之資料)時,可藉由MN1背閘極對源極的順向偏壓而大幅降低臨限電壓及增大汲極電流,可加快內部節點A之放電速度;而當記憶單元在浮接(floating)電位(即儲存邏輯1之資料)時,則因本創作之感測電路設計有由MP2所構成並與MP1呈並聯連接之電流路徑,因此,可有效加快內部節點A之充電速度。故本設計電路不論記憶單元係在低電位VSS,或是在浮接電位之狀態均能達到更快速感測之功效。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。