查詢結果分析
相關文獻
頁籤選單縮合
題名 | 以感應耦合電漿二階段深度蝕刻氮化鎵=Short Time and Two-step Deep Etching of GaN in BCl[feb0]/Ar/N[feaf] Using Inductively Coupled Plasma |
---|---|
作者 | 劉書史; 張連璧; 鄭明哲; Liu, S. S.; Chang, L. B.; Jeng, M. J.; |
期刊 | 材料科學與工程 |
出版日期 | 200112 |
卷期 | 33:4 2001.12[民90.12] |
頁次 | 頁239-246 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 氮化鎵; 光阻; 蝕刻深度; ICP功率; RF功率; 蝕刻輪廓; Gallium Nitride; Photoresist; Etching depth; ICP power; RF power; Etching profiles; |