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題名 | 加強防治去光阻液對HSQ傷害的研究 |
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作者 | 張鼎張; 劉柏村; 莫亦先; 林育正; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷期 | 8:4 2001.11[民90.11] |
頁次 | 頁18-21 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | HSQ薄膜; 濕式光阻去液; 積體電路; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本篇文章是探討有關HSQ薄膜與濕式光阻去除液的交互作用情形。在積體電路製程中,濕式光阻去除液是普遍用在去光阻製程。然而一般呈現高鹼性的光阻去除液常形成HSQ薄膜的水解,因而導致懸的生成。在HSQ薄膜中形成的懸鍵會輕易地和高鹼性光阻去除液中的OH反應而形成Si-OH的鍵結。這樣一來,HSQ薄膜就很容易吸附水本氣,也使薄膜漏電流和介電常數的上升。在本次實驗中,我們以氫電漿預先處理即可避免HSQ薄膜在去除光阻的過程中遭受損害進而導致介電性的劣化。 |
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