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題 名 | A Study of the Growth Temperature Depended Surface Morphdogy in InSb Liquid Phase Epitaxy=生長溫度對銻化銦磊晶膜表面平整度之影響研究 |
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作 者 | 張連璧; | 書刊名 | 中正嶺學報 |
卷 期 | 20:1 1991.07[民80.07] |
頁 次 | 頁89-93 |
分類號 | 339.3 |
關鍵詞 | 平整度; 生長; 表面; 溫度; 銻化銦磊晶膜; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 本文成功的將銻化銦晶膜以液相磊晶法,生長在(111)銻化銦基底之上。 同時並探討銻化銦在200℃與400℃間之相平衡關係,經由實驗也決定出銻與銦 間之化學活性係數。液相磊晶生長之銻化銦晶膜極易形成波浪狀之表而,嚴重影 響了紅外線偵測元件之製程與性能。在本文中,我們對此波浪狀表而之形成原因 加以討論,並以提升生長溫度之方法克服。最後我們發現,常生長溫度高於350 ℃以上,則可以有效的解決此問題。 |
英文摘要 | InSb epilayers wcic gniwii on the (III)orientated InSb substrates hy liquid pluise epitaxy (LPE).The phase lliagrani and growth rates were studied and compared to the experiincmal data. A terracedsurtace niorplhology was found in most epilavers whieli will degrade the successive Fahrication processand decrease tire device performance. By increasing lhe growtli leniperature to350℃. this terraced surfaceprobicrn can be solved. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。