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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
27:1 1998.09[民87.09]
- 頁 次:
頁91-97
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
68 1999.12[民88.12]
- 頁 次:
頁87-92
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:3 1999.09[民88.09]
- 頁 次:
頁147-152
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:1 1991.07[民80.07]
- 頁 次:
頁89-93
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁86-92
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:4 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁239-246
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:2 2000.06[民89.06]
- 頁 次:
頁47-51
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題 名:
氮化鎵乾式蝕刻技術(ICP-RIE)之研究:On the Study of GaN Dry Etching by Using Inductively Coupled Plasma
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:3 2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁136-142
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
70 2000.06[民89.06]
- 頁 次:
頁52-58
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:1 1997.07[民86.07]
- 頁 次:
頁1-9
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題 名:
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy:三氧化二鐠在砷化鎵磊晶層中之參雜特性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2 1997.01[民86.01]
- 頁 次:
頁187-193
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:4 1997.12[民86.12]
- 頁 次:
頁631-634
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題 名:
具有不同保護層的微波用PIN二極體之研究:The Research of Microwave PIN Diode with Various Passivation
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2002.09[民91.09]
- 頁 次:
頁437-443
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2003.07[民92.07]
- 頁 次:
頁122-142
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題 名:
A Mandrain Phonetic Coding Method for the Page System:應用於呼叫器之注音編碼設計
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 1993.12[民82.12]
- 頁 次:
頁1-24
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12 1992.04[民81.04]
- 頁 次:
頁41-104
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:2 1995.01[民84.01]
- 頁 次:
頁141-151
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1 1994.09[民83.09]
- 頁 次:
頁1-16
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 1993.12[民82.12]
- 頁 次:
頁73-85
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:1 1993.07[民82.07]
- 頁 次:
頁143-151