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題 名 | 以感應耦合電漿二階段深度蝕刻氮化鎵=Short Time and Two-step Deep Etching of GaN in BCl[feb0]/Ar/N[feaf] Using Inductively Coupled Plasma |
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作 者 | 劉書史; 張連璧; 鄭明哲; | 書刊名 | 材料科學與工程 |
卷 期 | 33:4 2001.12[民90.12] |
頁 次 | 頁239-246 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 氮化鎵; 光阻; 蝕刻深度; ICP功率; RF功率; 蝕刻輪廓; Gallium Nitride; Photoresist; Etching depth; ICP power; RF power; Etching profiles; |
語 文 | 中文(Chinese) |