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題 名 | 以銅銦共蒸鍍膜作為前驅體於太陽能電池之應用 |
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作 者 | 林宗新; | 書刊名 | 能源季刊 |
卷 期 | 31:2 2001.04[民90.04] |
頁 次 | 頁96-115 |
分類號 | 448.167 |
關鍵詞 | 銅-銦; 共蒸鍍; 前驅體; 太陽能電池; Cu-In; Coevaporation; Precursor; Solar cell; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文系探討藉由反應性退火所得之Cu-In薄膜作為前驅體以製造CuInS2與CuInSe2太陽能電池吸收材,以Rutherford backscattering及X-ray繞射方法(XRD)分析Cu與In共同蒸鍍於玻璃基板所製得膜之特性,所探討之相組成、形態及表面外觀為化學組成、基板溫度及退火製程之函數,分析所得之XRD數據係以已知之Cu7In3(δ相) 、Cu16In9(η相)、Cu11In9及In結晶學數據為基礎,CuIn2之微結晶數據已存在,而低溫改質之Cu16In9(η相)可藉由bulk powder sample(整體粉末樣本)探討之,這此數據及組織夾雜物效應可完成Cu-In前驅體之FIETVELD型分析,與依序共蒸鍍膜相較,於膜沉積其間,所有已知Cu-In平衡相可被產生之, 分別為Cu7In3、Cu16In9、CuIn2與Cu-In,亦發現這些膜之單相均有產生,膜之粗糙度隨沈積溫度與In(銦)成分之增加而增加,此一結果提供製造太陽能電池中之硫化及硒化製程一展新面貌。 |
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