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來源資料
國科會國家毫微米元件實驗室通訊
7:4 2000.11[民89.11]
頁14-16
相關文獻
氧電漿處理對BST高介電薄膜的影響
第2筆 /總和 27 筆
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題 名
氧電漿處理對BST高介電薄膜的影響
作 者
簡昭欣
;
呂正傑
;
書刊名
國科會國家毫微米元件實驗室通訊
卷 期
7:4 2000.11[民89.11]
頁 次
頁14-16
分類號
448.552
關鍵詞
氧電漿處理
;
BST高介電薄膜
;
語 文
中文(Chinese)
中文摘要
實驗結果發現經過氧電漿處理的BST薄膜,無論是漏電流或電容值均有明顯的改變。一般薄膜在受壓1.5V伏特時的漏電流大小值,在經過處理之後下降了約三個級數,而電容卻損失了10~30百分比。分析後得知漏電流的有效抑制來自於表面因電漿處理變得比較平整。電容的降低則因為碳含量的降低。
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