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題 名:
Characterization of Plasma Charging Induced Gate Oxide Damage during Metal Etching:金屬蝕刻時電漿充電損害效應的探討
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:3 1998.05[民87.05]
- 頁 次:
頁416-424
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:4 2000.11[民89.11]
- 頁 次:
頁14-16
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8:3 2001.08[民90.08]
- 頁 次:
頁28-30
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8:3=80 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁144-148
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:7=391 2002.07[民91.07]
- 頁 次:
頁571-575
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:3 2003.08[民92.08]
- 頁 次:
頁20-24
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:9=98 2003.09[民92.09]
- 頁 次:
頁120-125
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:10=99 2003.10[民92.10]
- 頁 次:
頁153-162
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:2 2002.05[民91.05]
- 頁 次:
頁18-26
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:3 2002.08[民91.08]
- 頁 次:
頁24-32
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8:4=81 2002.04[民91.04]
- 頁 次:
頁140-145
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:1=114 2005.01[民94.01]
- 頁 次:
頁117-131
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:2 2004.05[民93.05]
- 頁 次:
頁36-38
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:10=123 民94.10
- 頁 次:
頁239-249
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:4 民94.11
- 頁 次:
頁37-41
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:8=217 2013.08[民102.08]
- 頁 次:
頁80-95
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題 名:
在具有超薄(EOT=1.6nm)氮化閘極氧化層之0.13μm n型金氧半電晶體中由熱電子所引發於閘極絕緣層內之電子捕獲現象:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:4 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁6-10
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:10=111 2004.10[民93.10]
- 頁 次:
頁214-223