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題名 | 利用六甲基矽氧烷做作為ArF準分子雷射微影之底抗反射層研究 |
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作者 | 陳學禮; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷期 | 7:4 2000.11[民89.11] |
頁次 | 頁8-13 |
分類號 | 336.9 |
關鍵詞 | 六甲基矽氧烷; 準分子雷射微影; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文將展示新的深此外光微影之底抗反射層(BARC),此BARC使用傳統的電子迴旋共振電漿輔助化學氣相沉積系統(ECR-PECVD)以六甲基矽氧烷(HMDSO)為反應氣體,並藉由控制HMDSO與氧氣的流量比來得到適合的膜。此種做法有許多優點:高沉積速率、低製程壓力、容易去除和低成本。經由量測加了BARC的A1-Si合金與矽基板表面,其反射率可低於0.5%。此結果與模擬相符。此外,擺動效應(swing effect)亦隨著加了BARC而顯著的改善。 |
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