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題 名 | P-Type Activation Study on Mg-doped GaN Films Prepared by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy=有機金屬氣相磊晶製備之摻鎂氮化鎵薄膜的P型電性活化研究 |
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作 者 | 潘永中; 劉嘉順; 李文雄; 王淑芳; 陳文雄; 李明知; 陳衛國; 張凌雲; 李志甫; 姜崇義; 林錦華; 張弘; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷 期 | 7:3 2000.08[民89.08] |
頁 次 | 頁187-194 |
專 輯 | Electro-optical Engineering |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 退火; 摻鎂氮化鎵; 霍爾量測; 延伸X光精細結構吸收光譜; 空缺; Annealing; Mg-doped GaN; Hall measurement; EXAFS; Vacancy; |
語 文 | 英文(English) |