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來源資料
國科會國家毫微米元件實驗室通訊
6:2 1999.05[民88.05]
頁17-24
電機工程
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基本資料
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我要授權
匯出書目
題 名
一種高品質非揮發性記憶體內複晶矽間氧化膜之形成法
作 者
劉政樹
;
書刊名
國科會國家毫微米元件實驗室通訊
卷 期
6:2 1999.05[民88.05]
頁 次
頁17-24
分類號
448.57
關鍵詞
非揮發性記憶體
;
複晶矽間氧化膜
;
語 文
中文(Chinese)
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推文
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