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題 名 | Investigation of Multiple Negative-Differential-Resistance (NDR) Phenomena of InGaP/GaAs Heterostructure-Emitter Bipolar Transistor |
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作 者 | 蔡榮輝; | 書刊名 | 建國學報 |
卷 期 | 19:2 2000.06[民89.06] |
頁 次 | 頁583-587 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 磷化銦鎵/砷化鎵; 累增崩潰; 位障降低效應; 負微分電阻現象; 異質結構射極; InGaP/GaAs; Avalanche multiplication; Barrier lowering effect; Negative-differential-resistance; Heterostructure-emitter; |
語 文 | 英文(English) |