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來源資料
國科會國家毫微米元件實驗室通訊
7:2 2000.05[民89.05]
頁29-30
相關文獻
利用氣化氫氟酸製作低接觸阻值之複晶矽栓塞
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基本資料
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題 名
利用氣化氫氟酸製作低接觸阻值之複晶矽栓塞
作 者
陳建亨
;
雷添福
;
趙天生
;
蘇天寶
;
黃俊寅
;
段定夫
;
陳希寬
;
書刊名
國科會國家毫微米元件實驗室通訊
卷 期
7:2 2000.05[民89.05]
頁 次
頁29-30
分類號
448.552
關鍵詞
複晶矽栓塞結構
;
低接觸電阻
;
語 文
中文(Chinese)
中文摘要
在本篇濁章中,我們將介紹利用同步氣化之氫氟酸作為複晶矽栓塞結構之潔淨方法,以期能得到一個較低接觸電阻。利用本方法,在接觸孔洞上之俱生氧化層(native oxide)可以有效地去除,因此可以降低其與複晶矽之間之阻值。
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。
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