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題 名 | δ摻雜電子元件與傳統電子元件特性之比較=Comparison of δ-Doping and Traditional Electronic Devices |
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作 者 | 楊誌欽; 黃廣志; 蘇炎坤; | 書刊名 | 技術學刊 |
卷 期 | 14:1 1999.03[民88.03] |
頁 次 | 頁75-84 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | δ摻雜; 二極體; 電晶體; δ-doping; Diodes; Transistors; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文中我們整理並且說明δ摻雜技術應用在各種電子元件製造上的成就與貢獻。 δ摻雜製作與傳統方法製作的電子元件特性比較在本文亦被完成,所列舉的電子元件包括異 質雙載子電晶體、場效應電晶體、高電子移動率電晶體和共振穿透二極體。δ摻雜技術對電 子元件特性有許多改善並且將更廣泛地被應用在其它電子材料及元件。 |
英文摘要 | In this paper, we have clarified the applications of δ-doping technology. A comparison between δ-doping electronic devices and conventional electronic devices, such as heterostructure bipolar transistors (HBT), field effect transistors (FET), high electron mobility transistors (HEMT), and resonant tunneling diodes (RTD) is also provided. The δ-doping technology has improved some of the characteristics of electronic devices and this technology can be comprehensively applied in other electronic materials and devices. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。