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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 1998.11[民87.11]
- 頁 次:
頁109-114+449
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
138 1997.09[民86.09]
- 頁 次:
頁217-221
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題 名:
Highly Efficient Technique to Suppress MOS Gate-Injected RF Noise:抑制金氧半閘極端注入高頻雜訊之有效技術
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:1(A) 民91.11
- 頁 次:
頁11-17
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題 名:
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題 名:
Modeling of Drain Current Noise of Deep Submicron MOSFETs:深次微米金氧半場效電晶體之汲極電流雜訊模型分析
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:1 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁19-26
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:6 2015.12[民104.12]
- 頁 次:
頁209-213
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:6 2011.12[民100.12]
- 頁 次:
頁291-297
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題 名:
Temperature Dependence of Substrate Currents of MOSFETs Under Different Drain and Gate Biases:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34:3 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁441-448
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁18-26
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:1 2010.03[民99.03]
- 頁 次:
頁13-20
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題 名:
雜散摻雜原子對多重閘極電晶體的影響:Impact of Discrete Impurity Atoms on Multi-Gate MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 2007.02[民96.02]
- 頁 次:
頁17-29
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:10=135 民95.10
- 頁 次:
頁160-166
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