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題 名:
In戓Ga[fec5]P Grown by All Solid Source Molecular Beam Epitaxy:利用固態源分子束磊晶系統生長磷化銦鎵
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:6 1998.11[民87.11]
- 頁 次:
頁805-810
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:3 1998.08[民87.08]
- 頁 次:
頁1-7
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁62-66
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
29:1 2001.03[民90.03]
- 頁 次:
頁9-14
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題 名:
分子束磊晶技術之Ga[feaf]O[feb0](Gd[feaf]O[feb0])新成長法--首次展現金氧半場效電晶體(MOSFET):
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
66 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁1-5
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:2 1998.04[民87.04]
- 頁 次:
頁234-239
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題 名:
化合物半導體之分子束磊晶技術:Molecular Beam Epitaxial System for Ⅲ-Ⅴ Compound Semiconductor
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:2=130 2002.10[民91.10]
- 頁 次:
頁25-33
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:6=128 2002.06[民91.06]
- 頁 次:
頁74-79
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題 名:
磁鐵礦磊晶薄膜的高解析度X光結構分析:High Resolution XRD of Epitaxial Fe[feb0]O[feb2]Film
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
74 2003.04[民92.04]
- 頁 次:
頁67-76
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2=136 2003.10[民92.10]
- 頁 次:
頁68-73
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題 名:
分子束磊晶成長氮化鎵奈米柱於矽(111)基板:GaN Nanorods Grown on Si(111) Substrate by Molecular-beam Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:2 2003.09[民92.09]
- 頁 次:
頁17-23
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題 名:
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題 名:
InGan-GaN Light Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy:分子束磊晶法成長InGaN-GaN發光二極體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁211-217
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3/4 民83.11
- 頁 次:
頁38-42
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:1 1995.02[民84.02]
- 頁 次:
頁25-28
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:1 1995.02[民84.02]
- 頁 次:
頁69-73
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:1 1992.03[民81.03]
- 頁 次:
頁18-27
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:6=56 1990.05[民79.05]
- 頁 次:
頁74-87
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題 名:
Laterally-Selective Doping by Molecular Beam Epitaxy Growth:分子束磊晶法成長在同一平面上具有不同的摻雜情況
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:5 1989.09[民78.09]
- 頁 次:
頁659-663
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:3 1989.06[民78.06]
- 頁 次:
頁296-310
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題 名:
射頻電漿活化分子束磊晶成長之Ⅲ族--氮化物材料:GaN and AlGaN thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁72-76
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題 名: