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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
30:3 1998.09[民87.09]
- 頁 次:
頁165-177
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題 名:
Schottky Barrier Diodes with Undoped and Doped Polyacetylene:使用非摻雜和摻雜的聚乙炔膜製造肖特基位障二極體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 1991.06[民80.06]
- 頁 次:
頁213-225
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 1998.06[民87.06]
- 頁 次:
頁75-80
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:2 2000.06[民89.06]
- 頁 次:
頁583-587
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:1 2011.03[民100.03]
- 頁 次:
頁2-11
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 民95.12
- 頁 次:
頁37-54
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題 名:
修正蕭基位障電晶體的設計考量:Design Considerations of the Modified Schottky Barrier (MSB) MOSFTES
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:1 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁2-7
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:4 2013.07[民102.07]
- 頁 次:
頁54-59
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19 2023.01[民112.01]
- 頁 次:
頁249-262