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題 名:
具有緩衝層之氮化矽覆蓋形變矽通道(Strained Si channel)互補式金氧半(CMOS)元件之特性影響與相關可靠度分析:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:9=146 2007.09[民96.09]
- 頁 次:
頁152-161
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:10=147 2007.10[民96.10]
- 頁 次:
頁171-179
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:10=147 2007.10[民96.10]
- 頁 次:
頁182-192
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
48:2 2007.03-04[民96.03-04]
- 頁 次:
頁89-92+102
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1=138 2007.01[民96.01]
- 頁 次:
頁199-207
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:7=391 2007.07[民96.07]
- 頁 次:
頁104-111
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36 2007.02[民96.02]
- 頁 次:
頁141-150
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
58 2007.03[民96.03]
- 頁 次:
頁3-6
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:1 2007.04[民96.04]
- 頁 次:
頁23-28