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改善射頻橫向擴散金氧半場效電晶體性能之寬汲極佈局設計方法:Performance Improvement in RF LDMOS Transistors by Using Wider Drain Contact
陳坤明 黃國威 陳俊豪 林鴻志 黃調元
奈米通訊
20:4 2013.12[民102.12]
頁16-20
TCI引用統計