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題 名:
物理氣相傳輸法碳化矽單晶生長數值模擬:The Simulation of SiC Single Crystal Growth by PVT Method
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
53 2012.10[民101.10]
- 頁 次:
頁91-104
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁4-8
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁14-17
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題 名:
碳化矽功率模組封裝用耐高溫接合技術(下):Heat-resistant Bonding Technologies for the Assembly of SiC Power Module (Ⅱ)
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
308 2012.08[民101.08]
- 頁 次:
頁176-180
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:5 2012.09[民101.09]
- 頁 次:
頁27-33
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36 2012.06[民101.06]
- 頁 次:
頁1-19
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
40:1 2012.01[民101.01]
- 頁 次:
頁135-145
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題 名:
碳化矽功率模組封裝用耐高溫接合技術(上):Heat-resistant Bonding Technologies for the Assembly of SiC Power Module (Ⅰ)
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
307 2012.07[民101.07]
- 頁 次:
頁86-92
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題 名: