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題 名:
改變基體偏壓來降低功率之壓控振盪器:Low Phase Noise VCO Designed with Body-biased Adjustment
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24 2007.12[民96.12]
- 頁 次:
頁1-7
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題 名:
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題 名:
矽鍺雙通道元件電洞侷限能力之探討:Hole Confinement in Double-Channel SiGe PMOSFET
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2007.11[民96.11]
- 頁 次:
頁35-49
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題 名:
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題 名:
LED光電特性量測系統之開發:Development of LED Electro-Optical Properties Measurement System
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:1 2007.03[民96.03]
- 頁 次:
頁48-57
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題 名:
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題 名:
具有緩衝層之氮化矽覆蓋形變矽通道(Strained Si channel)互補式金氧半(CMOS)元件之特性影響與相關可靠度分析:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:9=146 2007.09[民96.09]
- 頁 次:
頁152-161
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:1 2007.03[民96.03]
- 頁 次:
頁1-8