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以微波電漿化學氣相沉積法在鑽石緩衝層上成長立方氮化硼薄膜:Growth of Cubic Boron Nitride Films on Diamond Buffer Layers Via MPCVD
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- 書刊名:
- 卷 期:
36:1 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁59-63
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:2 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁116-120
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:6 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁595-601
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:6 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁603-611
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題 名:
以光激化學氣相沉積系統成長二氧化矽作為砷化鎵金氧半電容之絕緣層:GaAs MOS Capacitors with Photo-CVD SiO[feaf]Insulator Layers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁26-30
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
216 2004.12[民93.12]
- 頁 次:
頁152-157
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題 名:
非金屬基板異質磊晶鑽石膜製程技術現況:A Review of Heteroepitaxial Diamond Growth on Non-metal Substrates
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
257 2004.08[民93.08]
- 頁 次:
頁102-110
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
254 2004.05[民93.05]
- 頁 次:
頁168-173