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題 名:
InGnN/GaN多層量子井之顯微組織研究:Study on Microstructures of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:1 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁95-104
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
122 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁101-103
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:4 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁239-246
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- 題 名:
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編 次:
上
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2001.08[民90.08]
- 頁 次:
頁2-12
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- 題 名:
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編 次:
下
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁16-28
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
73 2001.03[民90.03]
- 頁 次:
頁29-35
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
73 2001.03[民90.03]
- 頁 次:
頁45-50
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
88 2001.02[民90.02]
- 頁 次:
頁24-27
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
50:2 2001.02[民90.02]
- 頁 次:
頁93-98
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
172 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁120-125
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題 名:
砷化鎵金屬-半導體-金屬光接收器:GaAs Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:1 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁41-45
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題 名:
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題 名:
氮化鎵乾式蝕刻技術(ICP-RIE)之研究:On the Study of GaN Dry Etching by Using Inductively Coupled Plasma
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:3 2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁136-142
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題 名:
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題 名:
氮化鎵雷射共振腔方向與其光增益之研究:Dependence of the Orientation of GaN-based Laser Cavity on the Optical Gain
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:3 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁39-44
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
178 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁71-73
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:10=75 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁130-143
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:10=75 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁144-151
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2001:2 2001.06[民90.06]
- 頁 次:
頁57-58
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
112 2001.02[民90.02]
- 頁 次:
頁79+80+82+84+86+88+90-91
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題 名:
光化學濕式蝕刻法應用於氮化鎵晶片表面之研究:Study the Surface of Gallium Nitride by Photoenchance Wet Etching
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:1 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁1-7
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題 名: