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- 卷 期:
11:3/4 民87.12
- 頁 次:
頁37-42
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- 題 名:
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- 卷 期:
12:2 1999.07[民88.07]
- 頁 次:
頁26-34
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- 題 名:
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- 卷 期:
12:3 1999.10[民88.10]
- 頁 次:
頁16-21
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- 卷 期:
12:1 1999.05[民88.05]
- 頁 次:
頁16-25
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- 題 名:
- 作 者:
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- 卷 期:
12:1 1999.05[民88.05]
- 頁 次:
頁32-36
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- 卷 期:
11:1 1998.03[民87.03]
- 頁 次:
頁14-32
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題 名:
Doped-Channel SiGe Heterostructure Field-Effect Transistor:矽鍺異質結構高平面通道摻雜場效電晶體
- 作 者:
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- 卷 期:
14:4 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁32-37
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題 名:
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題 名:
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響:The Effect of GaN Buffer Layer on the Quality of GaN Epilayer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁33-37
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁62-66
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁13-19
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題 名:
具有窄垂直發散角度的量子井半導體雷射:Semiconductor Quantum Well Lasers with Narrow Beam Divergence
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁20-28
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:4=82 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁84-92
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:2 2001.07[民90.07]
- 頁 次:
頁46-56
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:4 2000.11[民89.11]
- 頁 次:
頁36-38
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:1 1996.04[民85.04]
- 頁 次:
頁15-20
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:1 1996.04[民85.04]
- 頁 次:
頁21-26
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:1 1996.04[民85.04]
- 頁 次:
頁27-30
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:1 1996.04[民85.04]
- 頁 次:
頁36-37
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:1 1996.04[民85.04]
- 頁 次:
頁38-41
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題 名:
Thermal Degradation Mechanism and Interdiffusion Mechanism for Cu/Au Contacts to InGaP Layer:
- 作 者:
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- 卷 期:
15:1 2002.04[民91.04]
- 頁 次:
頁35-39
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題 名: