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題 名:
Lower-Bounds of Achievable Rates for Average-Amplitude-Limited Gaussian Channels:有限平均振幅高斯通道之下限可達通道速率
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:2 2003.09[民92.09]
- 頁 次:
頁73-77
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題 名:
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題 名:
奈米級先進金屬氧化半導體(MOS)元件的有效通道導電性:The Effective Channel Conductance of Nano MOS Devices
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁1-8
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題 名:
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題 名:
ISE TCAD軟體於PMOS奈米元件製程之模擬應用:Nano-PMOS Process Simulation by Using ISE TCAD Tools
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁17-25
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁27-33
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題 名:
高密度分波多工系統中抑制四波混合之最佳色散值估量:Estimating Optimum Dispersion Suppresses FWM in DWDM Systems
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:1 2003.03[民92.03]
- 頁 次:
頁27-34
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30 民94.12
- 頁 次:
頁115-127
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
46 2023.03[民112.03]
- 頁 次:
頁142-152