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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:2 1999.07[民88.07]
- 頁 次:
頁5-17
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題 名:
射頻電漿活化分子束磊晶成長之Ⅲ族--氮化物材料:GaN and AlGaN thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁72-76
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題 名:
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題 名:
氮化物半導體發光二極體近況:The Recent Status of Nitride Semiconductor Light Emitting Diodes
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:3 2004.01[民93.01]
- 頁 次:
頁50-57
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題 名:
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題 名:
以二硫化鉬為前驅物利用化學氣相沉積法合成氮化鉬:Synthesis of MoN by Chemical Vapor Deposition Using MoS₂ as a Precursor
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:4 2022.12[民111.12]
- 頁 次:
頁6-12
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:1 2023.03[民112.03]
- 頁 次:
頁31