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題 名:
GaN-Based LEDs with Air Voids Prepared by One-Step MOCVD Growth:利用單一步驟金屬有機化學沉積方式透過氣縫方式製備氮化鎵基底之發光二極體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁42-49
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題 名: