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- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁4-11
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- 題 名:
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- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁12-18
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- 題 名:
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- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁19-25
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題 名:
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響:The Effect of GaN Buffer Layer on the Quality of GaN Epilayer
- 作 者:
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- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁33-37
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題 名:
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- 題 名:
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- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁48-54
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- 卷 期:
14:1 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁20-23
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題 名:
水平層流式隔離病房氣流模擬分析:Airflow Simulation within an Isolation Room of Horizontally Laminar-flow Type
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22 2008.10[民97.10]
- 頁 次:
頁39-55
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題 名:
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題 名:
GaN-Based LEDs with Air Voids Prepared by One-Step MOCVD Growth:利用單一步驟金屬有機化學沉積方式透過氣縫方式製備氮化鎵基底之發光二極體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁42-49
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題 名:
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
27:1 2014.03[民103.03]
- 頁 次:
頁15-20
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題 名:
以光激化學氣相沉積系統成長二氧化矽作為砷化鎵金氧半電容之絕緣層:GaAs MOS Capacitors with Photo-CVD SiO[feaf]Insulator Layers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁26-30
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題 名:
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁42-50
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:3 2004.01[民93.01]
- 頁 次:
頁7-12
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:4 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁56-61
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題 名:
利用逆方法預測潔淨室內之污染源:Prediction of Contamination Source in Clean Room by Inverse Method
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- 卷 期:
30 2013.10[民102.10]
- 頁 次:
頁16-30
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