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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 1998.11[民87.11]
- 頁 次:
頁109-114+449
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題 名:
Applications of Inverted Doping on Modulation-Doped Field-Effect Transistors:反向型摻雜在調變摻雜場效電晶體上的應用
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 1998.06[民87.06]
- 頁 次:
頁69-74
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 1998.06[民87.06]
- 頁 次:
頁75-80
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 1998.06[民87.06]
- 頁 次:
頁81-86
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題 名:
功率MOS元件ESD保護電路設計:ESD Protection Circuit Designs in Power MOSFET ICs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:2 2000.12[民89.12]
- 頁 次:
頁99-108
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁99-107
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 民94.03
- 頁 次:
頁123-131
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題 名:
Modeling of Drain Current Noise of Deep Submicron MOSFETs:深次微米金氧半場效電晶體之汲極電流雜訊模型分析
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:1 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁19-26
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題 名:
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題 名:
Electrical Characteristics Analysis with 3-D Simulation on FinFET:以三維電腦模擬分析鰭形場效電晶體之電性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁163-173
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2010.05[民99.05]
- 頁 次:
頁39-49
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題 名:
一種精準的MOSFET臨限電壓量測方法:A Novel Method for Determining the Threshold Voltage of MOSFET Devices
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:1 1996.12[民85.12]
- 頁 次:
頁171-177
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題 名:
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題 名:
金氧半場效電晶體載子移動率之萃取與分析:A Study of Effective Carrier Mobility Extraction in MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:1 1997.12[民86.12]
- 頁 次:
頁37-46
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題 名: