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題 名:
In戓Ga[fec5]P Grown by All Solid Source Molecular Beam Epitaxy:利用固態源分子束磊晶系統生長磷化銦鎵
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:6 1998.11[民87.11]
- 頁 次:
頁805-810
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
65 1999.03[民88.03]
- 頁 次:
頁5-7
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:3 1999.10[民88.10]
- 頁 次:
頁16-21
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:3 1999.09[民88.09]
- 頁 次:
頁147-152
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
64 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁14-18
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
27:7 1999.07[民88.07]
- 頁 次:
頁740-743
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 1998.06[民87.06]
- 頁 次:
頁87-94
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題 名:
Growth of Highly C-axis Oriented AlN Films on GaAs Substrates:在砷化鎵基板上沈積高C軸排向氮化鋁薄膜
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12 1998.05[民87.05]
- 頁 次:
頁127-141
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:1 1992.05[民81.05]
- 頁 次:
頁45-48
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題 名:
InGnN/GaN多層量子井之顯微組織研究:Study on Microstructures of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:1 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁95-104
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
122 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁101-103
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:4 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁239-246
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁12-18
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁26-32
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題 名:
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響:The Effect of GaN Buffer Layer on the Quality of GaN Epilayer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁33-37
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
72 2000.12[民89.12]
- 頁 次:
頁66-71
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
73 2001.03[民90.03]
- 頁 次:
頁45-50
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
172 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁120-125
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題 名:
氮化鎵乾式蝕刻技術(ICP-RIE)之研究:On the Study of GaN Dry Etching by Using Inductively Coupled Plasma
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:3 2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁136-142
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:10=75 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁130-143