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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
72:1 1999.01[民88.01]
- 頁 次:
頁20-22
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題 名:
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy:三氧化二鐠在砷化鎵磊晶層中之參雜特性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2 1997.01[民86.01]
- 頁 次:
頁187-193
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題 名:
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- 題 名:
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編 次:
1
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:1 2005.02[民94.02]
- 頁 次:
頁44-49
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:2 2004.05[民93.05]
- 頁 次:
頁50-54
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 民95.02
- 頁 次:
頁41-44
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 民87.05
- 頁 次:
頁225-234
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁9-13
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
39:2 2013.08[民102.08]
- 頁 次:
頁1-15
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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題 名:
Growth of InN Films on Sapphire Substrates by Reactive Magnetron Sputtering:以反應式磁控濺鍍法於藍寶石基板上成長氮化銦薄膜
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
37:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁121-125
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:1 2004.07[民93.07]
- 頁 次:
頁44-48
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2015.03[民104.03]
- 頁 次:
頁35-40
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:5 2015.09[民104.09]
- 頁 次:
頁44-49
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題 名:
氮化鎵單晶微波積體電路功率放大器元件製程及設計:The Development of GaN MMIC Power Amplifier
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 2017.01[民106.01]
- 頁 次:
頁80-91
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:3 2016.09[民105.09]
- 頁 次:
頁2-6
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題 名:
軟性電子主動元件材料技術發展現況(下):Development of Active Device Materials for Flexible Electronics (2)
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
264 2008.12[民97.12]
- 頁 次:
頁145-158
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題 名:
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題 名:
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究:The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁169-177
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
85:1 2012.02[民101.02]
- 頁 次:
頁68-78
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁18-26
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
84:6 2011.12[民100.12]
- 頁 次:
頁18-27