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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:1 1999.02[民88.02]
- 頁 次:
頁17-20
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
72:1 1999.01[民88.01]
- 頁 次:
頁20-22
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:7=72 2001.07[民90.07]
- 頁 次:
頁124-127
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題 名:
半導體元件可靠度簡介--熱載子效應:Semiconductor Device Reliability--Hot Carrier Effect
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
62 1997.09[民86.09]
- 頁 次:
頁53-58
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題 名:
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題 名:
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy:三氧化二鐠在砷化鎵磊晶層中之參雜特性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2 1997.01[民86.01]
- 頁 次:
頁187-193
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:6=11 1996.06[民85.06]
- 頁 次:
頁80-86
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
82 1994.11[民83.11]
- 頁 次:
頁80-83
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- 題 名:
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編 次:
1
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:1 2005.02[民94.02]
- 頁 次:
頁44-49
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:2 2004.05[民93.05]
- 頁 次:
頁50-54
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 民95.02
- 頁 次:
頁41-44
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 民87.05
- 頁 次:
頁225-234
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
146 1990.02[民79.02]
- 頁 次:
頁12-18
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
424 1983.12[民72.12]
- 頁 次:
頁12-19
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:1 2013.05[民102.05]
- 頁 次:
頁25-30
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁9-13
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
39:2 2013.08[民102.08]
- 頁 次:
頁1-15
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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題 名:
Growth of InN Films on Sapphire Substrates by Reactive Magnetron Sputtering:以反應式磁控濺鍍法於藍寶石基板上成長氮化銦薄膜
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
37:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁121-125
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題 名:
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題 名:
電遷移對覆晶銲點之影響:Electromigration Effects Upon Flip Chip Solder Joints
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
51:5=235 2004.10[民93.10]
- 頁 次:
頁80-92
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:1 2004.07[民93.07]
- 頁 次:
頁44-48