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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:1 1993.07[民82.07]
- 頁 次:
頁143-151
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題 名:
In戓Ga[fec5]P Grown by All Solid Source Molecular Beam Epitaxy:利用固態源分子束磊晶系統生長磷化銦鎵
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:6 1998.11[民87.11]
- 頁 次:
頁805-810
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
197 1999.08[民88.08]
- 頁 次:
頁154-161
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:3 1999.09[民88.09]
- 頁 次:
頁147-152
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:3 1988.05[民77.05]
- 頁 次:
頁291-294
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:1 1992.05[民81.05]
- 頁 次:
頁41-44
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9 2001.05[民90.05]
- 頁 次:
頁101-106
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題 名:
氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響:The Effect of GaN Buffer Layer on the Quality of GaN Epilayer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁33-37
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁62-66
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
180 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁170-174
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
117 2001.07[民90.07]
- 頁 次:
頁67-68+70-72+74-76
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:4=120 2001.02[民90.02]
- 頁 次:
頁62-70
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8:1 2001.02[民90.02]
- 頁 次:
頁1-7
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21:6=116 2000.06[民89.06]
- 頁 次:
頁28-39
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題 名:
分子束磊晶技術之Ga[feaf]O[feb0](Gd[feaf]O[feb0])新成長法--首次展現金氧半場效電晶體(MOSFET):
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
66 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁1-5
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
66 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁6-9
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:4 1997.12[民86.12]
- 頁 次:
頁631-634
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25 1997.10[民86.10]
- 頁 次:
頁65-71
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
55 1996.09[民85.09]
- 頁 次:
頁18-23
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題 名:
有機金屬氣相磊晶系統及技術簡介:Introduction to Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy System and Technology
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:2=130 2002.10[民91.10]
- 頁 次:
頁13-24
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題 名: