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檢索結果筆數(65)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:3 1988.06[民77.06]
- 頁 次:
頁206-213
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
61 2001.02[民90.02]
- 頁 次:
頁36-45
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁119-131
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:2 2003.05[民92.05]
- 頁 次:
頁99-110
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題 名:
碳化矽鋸線的無電鍍鎳共鍍特性:The Co-Plating Properties of SiC Sawing Wire by EN
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:2 2003.06[民92.06]
- 頁 次:
頁127-129
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題 名:
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題 名:
具有不同保護層的微波用PIN二極體之研究:The Research of Microwave PIN Diode with Various Passivation
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2002.09[民91.09]
- 頁 次:
頁437-443
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題 名:
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題 名:
單晶碳化矽在微電子及微感測元件之應用:Applications of Single Crystal SiC in Microelectronic Devices and Microsensors
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:4=132 2003.02[民92.02]
- 頁 次:
頁4-14
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:1 2002.02[民91.02]
- 頁 次:
頁6-11
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 1995.10[民84.10]
- 頁 次:
頁267-272
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:4=18 1993.06[民82.06]
- 頁 次:
頁15-20
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題 名:
Amorphous Silicon Carbide/Silicon Heterojunction Metal Base Transistor:非晶矽∕碳化矽異質接面金屬基極電晶體
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9 1990.03[民79.03]
- 頁 次:
頁151-162
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 1989.04[民78.04]
- 頁 次:
頁241-265
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 1987.04[民76.04]
- 頁 次:
頁131-198
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 1986.05[民75.05]
- 頁 次:
頁431-471
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題 名:
物理氣相傳輸法碳化矽單晶生長數值模擬:The Simulation of SiC Single Crystal Growth by PVT Method
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
53 2012.10[民101.10]
- 頁 次:
頁91-104
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁4-8
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁14-17
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題 名:
碳化矽功率模組封裝用耐高溫接合技術(下):Heat-resistant Bonding Technologies for the Assembly of SiC Power Module (Ⅱ)
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
308 2012.08[民101.08]
- 頁 次:
頁176-180
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:5 2012.09[民101.09]
- 頁 次:
頁27-33
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名: