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題 名:
Growth of Highly C-axis Oriented AlN Films on GaAs Substrates:在砷化鎵基板上沈積高C軸排向氮化鋁薄膜
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12 1998.05[民87.05]
- 頁 次:
頁127-141
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁103-109
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題 名:
AlN Films Deposited by RF Magnetron Sputtering Techniques:以濺射法探討氮化鋁多層基板之研製
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:2 1998.03[民87.03]
- 頁 次:
頁225-234
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4 1996.05[民85.05]
- 頁 次:
頁11-19
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
82 2003.06[民92.06]
- 頁 次:
頁150-158
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
202 2003.10[民92.10]
- 頁 次:
頁94-99
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2002.05[民91.05]
- 頁 次:
頁249-252
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題 名:
氮化鋁銦鎵深紫外光發光二極體製作技術:Technology of AlInGaN Deep-Ultraviolet Light Emitting Diode
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
229 民95.01
- 頁 次:
頁98-106
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
38:7=444 2012.07[民101.07]
- 頁 次:
頁6-25
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:1=222 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁76-89
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12 2004.05[民93.05]
- 頁 次:
頁361-366
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁42-50
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題 名:
800℃條件下成長p型氮化鋁銦鎵/氮化鎵雙重披覆層的氮化物發光二極體:Nitride-based LEDs with 800℃-grownp-AllnGaN/GaN Double Cap Layers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁62-66
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24 2013.12[民102.12]
- 頁 次:
頁93-98
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:5=181 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁68-74
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題 名:
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究:The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁169-177
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題 名:
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題 名:
新一代氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體之原理與未來應用:The Principle and Future Application of New Barrier AlInN/GaN HEMTs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁178-185
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:11=196 2011.11[民100.11]
- 頁 次:
頁98-120
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:3 2012.07[民101.07]
- 頁 次:
頁1-11
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:4 2010.10[民99.10]
- 頁 次:
頁289-297