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題 名:
In戓Ga[fec5]P Grown by All Solid Source Molecular Beam Epitaxy:利用固態源分子束磊晶系統生長磷化銦鎵
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:6 1998.11[民87.11]
- 頁 次:
頁805-810
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁62-66
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題 名:
分子束磊晶技術之Ga[feaf]O[feb0](Gd[feaf]O[feb0])新成長法--首次展現金氧半場效電晶體(MOSFET):
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
66 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁1-5
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題 名:
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題 名:
化合物半導體之分子束磊晶技術:Molecular Beam Epitaxial System for Ⅲ-Ⅴ Compound Semiconductor
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:2=130 2002.10[民91.10]
- 頁 次:
頁25-33
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:6=128 2002.06[民91.06]
- 頁 次:
頁74-79
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題 名:
InGan-GaN Light Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy:分子束磊晶法成長InGaN-GaN發光二極體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁211-217
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3/4 民83.11
- 頁 次:
頁38-42
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:1 1995.02[民84.02]
- 頁 次:
頁25-28
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:1 1995.02[民84.02]
- 頁 次:
頁69-73
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:3 1989.06[民78.06]
- 頁 次:
頁296-310
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題 名:
射頻電漿活化分子束磊晶成長之Ⅲ族--氮化物材料:GaN and AlGaN thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁72-76
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:4 2015.12[民104.12]
- 頁 次:
頁36-43
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
758 2011.10[民100.10]
- 頁 次:
頁66-79
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題 名:
電漿輔助式分子束磊晶應用於氮化鎵的成長:Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy for GaN Growth
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:5=175 2010.04[民99.04]
- 頁 次:
頁65-72
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題 名:
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題 名:
以氣態源分子束磊晶法成長之磷氮化銦中氮的嵌入行為之研究:The Incorporation Behavior of Nitrogen in Gas-Source MBE Grown □
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:2 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁5-10
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:11=172 2009.11[民98.11]
- 頁 次:
頁111-120
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:9=134 民95.09
- 頁 次:
頁182-188
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:10=147 2007.10[民96.10]
- 頁 次:
頁207-214
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題 名:
以分子束磊晶法成長砷化銦量子點:Growth of InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 民95.05
- 頁 次:
頁17-23
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 民95.05
- 頁 次:
頁65-76