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題 名:
Characterization of Plasma Charging Induced Gate Oxide Damage during Metal Etching:金屬蝕刻時電漿充電損害效應的探討
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:3 1998.05[民87.05]
- 頁 次:
頁416-424
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題 名:
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題 名:
An Investigation of Strain Silicon Technology on Highly Strained, Highly Scaled NFET Devices:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:4 2009.08[民98.08]
- 頁 次:
頁289-294
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題 名: