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題 名:
氫化物氣相磊晶成長法成長氮化鎵晶體:The Growth Mechanism of GaN Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
80 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁31-38
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題 名:
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題 名:
以MOCVD在蝕刻過的藍寶石基板上成長氮化鎵薄膜:GaN Grown on Patterned Sapphire Substrates by MOCVD
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
226 民94.10
- 頁 次:
頁158-163
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題 名:
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題 名:
高品質氮化鎵厚膜之應用與製作方法:Application and the Manufacture Method of GaN Thick Film
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
229 民95.01
- 頁 次:
頁107-115
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題 名:
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題 名:
區域負載密度及負載參差率調查研究:Study of Area Load Density and Load Diversity Factor
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
732 2009.08[民98.08]
- 頁 次:
頁44-62
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31 2010.07[民99.07]
- 頁 次:
頁24-32
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31 2010.07[民99.07]
- 頁 次:
頁77-83
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12 2009.08[民98.08]
- 頁 次:
頁93-96
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 民95.04
- 頁 次:
頁1-6
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題 名:
高品質氮化鎵基板之製作方法:The Manufacture Method of High Quality GaN Substrate
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
102 2008.08[民97.08]
- 頁 次:
頁36-50
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題 名: