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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
159 2000.03[民89.03]
- 頁 次:
頁162-169
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 民93.07
- 頁 次:
頁209-242
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:7=175 民94.07
- 頁 次:
頁152-165
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21:2=242 2011.02[民100.02]
- 頁 次:
頁138-148
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:3 2009.09[民98.09]
- 頁 次:
頁12-16
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題 名:
一種精準的MOSFET臨限電壓量測方法:A Novel Method for Determining the Threshold Voltage of MOSFET Devices
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:1 1996.12[民85.12]
- 頁 次:
頁171-177
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:1 1997.12[民86.12]
- 頁 次:
頁27-35
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題 名:
金氧半場效電晶體載子移動率之萃取與分析:A Study of Effective Carrier Mobility Extraction in MOSFETs
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:1 1997.12[民86.12]
- 頁 次:
頁37-46
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2=194 2007.02[民96.02]
- 頁 次:
頁126-133