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題 名 | 金屬雜質於DUV光阻中擴散及吸附行為之研究 |
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編 次 | 1 |
作 者 | 楊金成; 柯富祥; 王美雅; 王天戈; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷 期 | 6:4 1999.11[民88.11] |
頁 次 | 頁18-24 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 金屬雜質; DUV光阻; 擴散; 吸附; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本實驗利用放射性示蹤技術(Radioactive Tracer Technique),研究金屬雜質於 DUV 光阻中的擴散行為及金屬雜質與矽基材表面的吸附現像。由實驗的結果顯示,金屬雜質 將會與光阻中的溶劑形成錯化合物。金屬錯化合物的結構與大小,直接影響了金屬雜質與光 阻中高分子鏈的作用力,使得不同金屬雜質在相同的實驗條件下有不同的擴散量。本文亦提 出一擴散方程式,解釋不同製程溫度下,金屬雜質於光阻中的擴散行為。本研究亦探討金屬 雜質於 DUV 光阻與不同矽基材 (Bare Si, Poly Si, SiO �砟� Si �� N �� ) 的介面反應 。 實驗中發現金屬雜質在表面的吸附量與基材表面的吸附位置密度 (Adsorption Site Surface Density)、金屬雜質與吸附基的作用力 (Attraction Force)、介面附近 DUV 光阻 中氫離子的濃度及金屬雜質的濃度有關。 實驗結果顯示 Si �� N �盒穨魕韞|種不同基材中 有較大的金屬雜質吸附量。實驗的結果與本文中提出的吸附模式可得極佳之吻合。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。