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題名 | Study of AlGaAs/GaAs/GaInP Single Quantum Well Structures Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition=以有機金屬化學氣相沉積成長砷化鋁鎵/砷化鎵/磷化銦鎵非對稱單量子阱結構之研究 |
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作 者 | 洪武財; | 書刊名 | 真空科技 |
卷期 | 10:1 1997.03[民86.03] |
頁次 | 頁20-26 |
分類號 | 343.16 |
關鍵詞 | 有機金屬化學氣相沉積; 調製光譜; 光激發光譜; 拉曼光譜; 單量子阱; MOCVD; DXRD; PL; PR; RS; Single quantum well; |
語文 | 英文(English) |
中文摘要 | 以有機金屬化學氣相沉積成長非對稱砷化鋁鎵/砷化鎵/磷化銦鎵非對稱單量子阱 結構已對其結構進行 X- 射線雙晶繞射,光調製光譜,低溫光激發光譜與拉曼光譜等光學測 試研究。 對於砷化鋁鎵 / 砷化鎵界面的導電帶偏移比值採用 0.65,而磷化銦鎵 / 砷化鎵 界面的導電帶偏移比值採用 0.29 作為理論計算之應用。 |
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