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題 名 | In迯 Al郂 As/In[febb]Ga[fec5]As(x=0.53, 0.6) Lattice-Matched and Pseudomorphic Hemts on INP Substrates=磷化銦基片上之砷化銦鋁/砷化銦鎵晶格匹配及應力層高速場效應電晶體特性之研究 |
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作 者 | 吳家松; 詹益仁; 謝佳霖; 顏天霖; 綦振瀛; | 書刊名 | 中國工程學刊 |
卷 期 | 18:5 1995.09[民84.09] |
頁 次 | 頁707-712 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 砷化銦鋁/砷化銦鎵; 晶格匹配; 應力層; 高速場效應電晶體; InAlAs/InGaAs; Lattice-matched; Strained; HEMTs; |
語 文 | 英文(English) |