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題 名 | AlGaAs/GaAs Heterostructure Field-Effect Transistors(HFET's)Grown by Molecular Beam Epitaxy=分子束磊晶成長砷化鋁鎵/砷化鎵異質結構場效應電晶體 |
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作 者 | 詹益仁; 綦振瀛; 謝佳霖; 林瑞明; 楊明達; | 書刊名 | Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering |
卷 期 | 17:6 1993.11[民82.11] |
頁 次 | 頁428-432 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | AlGaAs/GaAs; Heterostructure FET's; Molecular beam epitaxy; |
語 文 | 英文(English) |