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題名 | Electrical and Optical Properties of High Purity Inp New Method Epilays Grown by L. P. E. and N[feb7]-N-N[feb7]Inp Gunn Microwave Devices Grown.=L. P. E.新法成長高純度磷化銦及其光電特性之研究, 並成長 N[feb7]-N-N[feb7]Inp Gunn微波元件 |
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作者 | 張垣孫; |
期刊 | 高雄工專學報 |
出版日期 | 198512 |
卷期 | 15 1985.12[民74.12] |
頁次 | 頁497-540 |
分類號 | 448.533 |
語文 | eng |
關鍵詞 | 元件; 光電; 磷化銦; |